De vigtigste forskelle mellemsiliciumnitridsubstratog substrat er deres definitioner, anvendelser og karakteristika.
Siliconnitridsubstrat:Siliciumnitridsubstrater et keramisk materiale, der hovedsageligt anvendes til fremstilling af effekthalvlederenheder, især strømmoduler. Den har høj varmeledningsevne, høj mekanisk styrke og god termisk tilpasning og er velegnet til anvendelsesscenarier, der kræver høj pålidelighed og høj temperaturbestandighed. Substrat: Substrat refererer normalt til den underliggende støttestruktur, der bruges til spånfremstilling. Almindelige substratmaterialer omfatter enkeltkrystal siliciumwafers, SOI-substrater, SiGe-substrater osv. Valget af substrat afhænger af specifikke applikationskrav, såsom integrerede kredsløb, mikroprocessorer, hukommelse osv.
Høj termisk ledningsevne: Den termiske ledningsevne af siliciumnitrid er så høj som 80 W/m·K eller mere, hvilket er velegnet til varmeafledningsbehovene for enheder med høj effekt. Høj mekanisk styrke: Den har høj bøjningsstyrke og høj brudsejhed, hvilket sikrer dens høje pålidelighed. Matching af termisk udvidelseskoefficient : Det ligner meget SiC-krystalsubstratet, hvilket sikrer et stabilt match mellem de to og forbedrer den samlede pålidelighed.
Substrat
Forskellige typer: Inklusive enkeltkrystal siliciumwafers, SOI-substrater, SiGe-substrater osv., har hvert substratmateriale sit specifikke anvendelsesområde og ydeevnefordele.
Bredt anvendelsesområde : Bruges til at fremstille forskellige typer chips og enheder, såsom integrerede kredsløb, mikroprocessorer, hukommelse osv. .
Siliconnitridsubstrat : Anvendes hovedsageligt til højeffektenheder inden for områder som nye energikøretøjer og moderne transportbaner. På grund af sin fremragende varmeafledningsevne, mekaniske styrke og stabilitet er den velegnet til høje pålidelighedskrav i komplekse miljøer.
Substrat: Udbredt i forskellige spånfremstilling, og den specifikke anvendelse afhænger af typen af substrat. For eksempel er enkeltkrystal siliciumwafere meget brugt til fremstilling af integrerede kredsløb og mikroprocessorer, SOI-substrater er velegnede til højtydende, laveffekts integrerede kredsløb, og SiGe-substrater bruges til heterojunction bipolære transistorer og blandede signalkredsløb osv. .